π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and RDS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.

結果: 69
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 4A 500V 80W 380pF 2 Ohm
規格書
暫無庫存
最少： 2,000
倍數： 2,000
捲: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 4 A 2 Ohms 80 W MOSVII Reel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 3.5A 550V 80W 380pF 2.45
規格書
暫無庫存
最少： 2,000
倍數： 2,000
捲: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 550 V 3.5 A 2.45 Ohms 80 W MOSVII Reel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 4.5A 450V 30W 380pF 1.75
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 4.5 A 1.75 Ohms 30 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 5A 525V 35W 540pF 1.5 OhM
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 525 V 5 A 1.5 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 5A 600V 35W 700pF 1.43 Ohm
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 5 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4.4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 4.5A 650V 35W 700pF 1.67 Ohm
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5 A 1.67 Ohms - 30 V, 30 V 2.4 V 16 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 5A 525V 80W 540pF 1.5Ohm
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
捲: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 525 V 5 A 1.5 Ohms 80 W MOSVII Reel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 5.5A 450V 35W 490pF 1.35
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 5.5 A 1.35 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 6A 500V 35W 540pF 1.4 Ohm
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 1.4 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 6A 525V 35W 600pF 1.3 Ohm
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 525 V 6 A 1.3 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 5.5A 550V 35W 600pF 1.48
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 5.5 A 1.48 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 6A 525V 100W 600pF 1.3 Ohm
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
捲: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 525 V 6 A 1.3 Ohms 100 W MOSVII Reel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 6.5A 450V 35W 540pF 1.2 Ohm
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 6.5 A 1.2 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 7A 550V 35W 700pF 1.25
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 7 A 1.25 Ohms 35 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 7A 650V 45W 1200pF 0.98
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 980 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 7A 500V 100W 600pF 1.22
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
捲: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 7 A 1.22 Ohms 100 W MOSVII Reel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 7.5A 550V 40W 800pF 1.07 Ohm
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 550 V 7.5 A 1.07 Ohms 40 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 7.5A 450V 40W 800pF 0.77
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 450 V 9 A 770 mOhms 40 W MOSVII Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 9A 600V 45W 1200pF 0.83
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 830 mOhms 45 W MOSVII Tube