FDA38N30

onsemi
512-FDA38N30
FDA38N30

製造商：

說明：
MOSFET UniFET1 300V N-chan MOSFET

規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 1,274

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在途量:
900
預期2026/6/26
工廠前置作業時間：
20
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
此產品已報告長備貨期。
最少： 1   多個： 1   上限： 120
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$180.68 NT$180.68
NT$101.10 NT$1,011.00
NT$83.53 NT$10,023.60

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3PN-3
N-Channel
1 Channel
300 V
38 A
70 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
60 nC
- 55 C
+ 125 C
312 W
Enhancement
UniFET
Tube
品牌: onsemi
配置: Single
互導 - 最小值: 6.3 S
產品類型: MOSFETs
系列: FDA38N30
原廠包裝數量: 30
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
每件重量: 4.600 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

合規守則
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國
封裝原產國:
中國
擴散國:
大韓民國
出貨時，國家可能會有所變更。

FDA38N30 Mosfet Power UniFET™ Transistors

onsemi FDA38N30 Mosfet Power UniFET™ Transistors are N-Channel enhancement mode power field effect transistors produced using proprietary, planar stripe, DMOS technology. onsemi's Mosfet Power UniFET Transistors utilize advanced technology that minimizes on-state resistance, provides superior switching performance, and withstands high-energy pulse in the avalanche and commutation mode. Features include fast switching, improved dv/dt capability, ESD improved capability, low gate charge, 300V drain to source voltage, and more.

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