CSD22206W P-Channel NexFET Power MOSFETs

Texas Instruments CSD22206W P-Channel NexFET Power MOSFETs is a –8V, 4.7mΩ, 1.5mm×1.5mm device that is designed to deliver low on-resistance and gate charge in a small package. The device provides the smallest outline possible with excellent thermal characteristics. The low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery-operated space-constrained applications.

結果: 2
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 公司名稱 封裝
Texas Instruments MOSFET -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206WT 1,140庫存量
3,000預期2026/2/19
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel 1 Channel 8 V 5 A 9.1 mOhms - 6 V, 6 V 1.05 V 14.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206W 123庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel 1 Channel 8 V 2 A 9.1 mOhms - 6 V, 6 V 700 mV 14.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel