FERD場效整流器

STMicroelectronics場效整流器二極體 (FERD) 新版裝置著重於取捨升級，有助於改善設計。FERD的設計允許降低壓降，同時降低漏電流溫度係數。如此一來，除了改善失控時的安全邊際，甚至可能超過蕭特基障壁二極體的典型安全邊際。根據目標應用及其電壓而定，開發人員現在能在順向壓降 (VF) 和漏電流 (IR) 之間作出最好的取捨。零件編號中的「U」代表擁有極低的順向壓降 (VF)，「L」代表擁有低順向壓降 (VF)。「M」和「SM」分別代表中等的順向壓降，以及最佳化的漏電流 (IR)。「H」和「S」代表高溫下的低漏電流（低IR）。