DrMOS SiC6整合功率級

Vishay Semiconductor DrMOS SiC6整合功率級針對同步降壓應用最佳化，可提供高電流、高效率和高功率密度效能。SiC6xx採用Vishay專有的5 mm x 5 mm MLP封裝，能讓電壓穩壓器設計提供高達每相位60A連續電流。內部功率MOSFET採用Vishay最先進的第四代TrenchFET技術，創下領先業界的效能基準，可大幅降低切換和傳導損耗。