NXH450B100H4Q2 Si/SiC混合模組

安森美 (onsemi)  NXH450B100H4Q2 Si/SiC混合模組包含兩個1000V、150A IGBT,兩個1200V、30A SiC二極管,兩個1600V 30A旁路二極管以及一個NTC 熱敏電阻。這些Si/SiC混合模組具有降低系統功耗的低開關損耗、低電感佈局、壓合式和焊接引腳選項。在開關條件下,NXH450B100H4Q2混合模組的儲存溫度範圍為-40°C至125°C,工作溫度範圍為-40°C至125°C。這些Si/SiC混合模組理想適用於太陽能逆變器和不間斷電源。

結果: 2
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 產品 配置 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-發射極飽和電壓 連續集電極電流在25 C 柵射極漏電電流 Pd - 功率消耗 最低工作溫度 最高工作溫度 封裝
onsemi NXH450B100H4Q2F2PG
onsemi IGBT 模組 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WITH RUGGED ANTI-PARALLEL DIODES IN PRESS FIT PINS 36庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC IGBT Modules Dual 1 kV 1.7 V 101 A 800 nA 234 W - 40 C + 150 C Tray
onsemi NXH450B100H4Q2F2SG
onsemi IGBT 模組 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WITH SOLDER PINS 36庫存量
最少: 1
倍數: 1
SiC IGBT Modules Dual 1 kV 1.7 V 101 A 800 nA 234 W - 40 C + 150 C Tray