似乎你已停用瀏覽器的JavaScript。除非你登入，否則此頁面上的某些功能將無法使用。

SIR680ADP-T1-RE3

Name: Vishay SIR680ADP-T1-RE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIR680ADP-T1-RE3
Price: 106.42 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

78-SIR680ADP-T1-RE3

製造商編號：

SIR680ADP-T1-RE3

製造商：

Vishay Semiconductors

說明：

MOSFET N-CHANNEL 80V PowerPAK SO-8

規格書:

SIR680ADP-T1-RE3 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Vishay Semiconductors SIR680ADP-T1-RE3的資訊

庫存量: 6,662

庫存：: 6,662 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個3000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$106.42	NT$106.42
	NT$69.02	NT$690.20
	NT$47.94	NT$4,794.00
	NT$40.12	NT$20,060.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$34.00	NT$102,000.00
	NT$32.03	NT$288,270.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Vishay
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PowerPAK-SO-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	80 V
Id - C連續漏極電流:	125 A
Rds On - 漏-源電阻:	2.88 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3.5 V
Qg - 閘極充電:	43 nC, 55 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	104 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	TrenchFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
下降時間:	9 ns, 12 ns
互導 - 最小值:	68 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	8 ns, 15 ns
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	N - Channel
標準斷開延遲時間:	30 ns, 30 ns
標準開啟延遲時間:	17 ns, 19 ns
每件重量:	506.600 mg

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

SIR680ADP-T1-RE3 規格書

Application Notes

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiR680ADP N-Channel (D-S) MOSFET

Vishay SiR680ADP N-Channel (D-S) MOSFET is a TrenchFET^® Gen IV power MOSFET featuring low R_DS - Q_g Figure Of Merit (FOM). This MOSFET is tuned for the lowest R_DS to Q_oss FOM and 100% R_g and UIS tested. The SiR680ADP MOSFET operates within a -55°C to +150°C temperature range. This MOSFET features an 80V drain-source voltage, ±20V gate-source voltage, and 125A pulse drain current. The SiR680ADP MOSFET comes in a PowerPAK SO-8 package. This MOSFET is ideal for synchronous rectification of primary side switches, DC/DC converters, OR-ing, power supplies, and motor drive control.

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET^®第四代MOSFET是下一代TrenchFET^®系列功率MOSFET。TrenchFET第四代MOSFET在PowerPAK^® SO-8及1212-8S封裝中提供工業低電阻與低柵極總電荷。這些TrenchFET第四代MOSFET具有極低的R_DS(on)特性，轉化為更低的傳導損耗，從而降低功耗。TrenchFET MOSFET還配備了節省空間的PowerPAK^® 1212-8封裝，具有類似的效率，但體積只有它的三分之一。典型應用包括大功率DC/DC變換器、同步整流、太陽能微型逆變器及電機驅動開關。