TRSx SiC蕭特基能障二極體

Toshiba TRSx SiC蕭特基能障二極體採用第三代晶片設計，其反向重複峰值電壓 (VRRM) 額定值為1200V。TRS30N120HB的正向DC電流額定電流 [IF(DC)] 為每腳位15A或雙腳位30A，TRS40N120HB則為每腳位20A或雙腳位40A。這些裝置採用標準TO-247封裝。Toshiba TRSx SiC蕭特基能障二極體適用於功率因數校正、太陽能逆變器、不間斷電源和DC-DC轉換器應用。            

結果: 2
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
配置
If - 順向電流
Vrrm - 重複反向電壓
Vf - 順向電壓
Ifsm - 順向浪湧電流
Ir - 反向電流
最高工作溫度
Toshiba 碳化矽肖特基二極管 1200 V/30 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247
規格書
30庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 Common Cathode 82 A 1.2 kV 1.27 V 1.88 kA 1.4 uA + 175 C
Toshiba 碳化矽肖特基二極管 1200 V/40 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247
規格書
24庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 Common Cathode 102 A 1.2 kV 1.27 V 2.16 kA 1.8 uA + 175 C