IXBH42N170 & IXBT42N170 IGBT Power Transistors

IXBH42N170 and IXBT42N170 IGBT Power Transistors are BIMOSFET™ Monolithic Bipolar MOS Transistors featuring high blocking voltage, fast switching, a high current handling capability, and MOS Gate turn-on for drive simplicity. IXYS IGBT Power Transistors are useful for a wide variety of applications, including AC motor speed control, uninterruptible power supplies (UPS), switched-mode and resonant-mode power supplies, capacitor discharge circuits, laser generators, AC switches, and pulser circuits.

結果: 3
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 封裝/外殼 安裝風格 配置 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-發射極飽和電壓 柵極發射機最大電壓 連續集電極電流在25 C Pd - 功率消耗 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
IXYS IGBT BIMOSFET 1700V 75A 3,229庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 80 A 360 W - 55 C + 150 C IXBT42N170 Tube
IXYS IGBT BIMOSET 42A 1700V 297庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 42 A 357 W - 55 C + 150 C IXBH42N170 Tube

IXYS IGBT 1700V 75A 302庫存量
450預期2026/3/27
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 80 A 360 W - 55 C + 150 C IXBH42N170 Tube