IGOT65R055D2AUMA1

Infineon Technologies
726-IGOT65R055D2AUMA
IGOT65R055D2AUMA1

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 HV GAN DISCRETES

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
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庫存量: 730

庫存：
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工廠前置作業時間：
26 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$234.60 NT$234.60
NT$171.70 NT$1,717.00
NT$138.72 NT$13,872.00
NT$123.42 NT$61,710.00
完整捲（訂購多個800）
NT$105.74 NT$84,592.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
66 mOhms
- 10 V
1.6 V
6.6 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
濕度敏感: Yes
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
產品: Power Transistors
產品類型: GaN FETs
原廠包裝數量: 800
子類別: Transistors
技術: GaN
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: GaN Power Transistor
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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