SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules

GeneSiC Semiconductor SiCPAK™ F/G 1200V High-Power Modules are designed for superior performance and robustness while meeting industry-standard footprints with pin-to-pin combability. These modules are robust, high-voltage, high-efficiency SiC MOSFETs, critical for reliable, harsh-environment, high-power applications. The SiCPAK™ F/G Modules enable expanded applications ranging from 10s kW to MW in rail, EV, fast charging, industry, solar, wind, and energy storage. Epoxy-resin potting technology provides high reliability and improved power/temperature cycling.

結果: 12
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs th - 門源門限電壓
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
系列
封裝
GeneSiC Semiconductor MOSFET模組 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
規格書
96庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 216 A 4.6 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 444 mW SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模組 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
規格書
93庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 216 A 4.6 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 444 mW SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模組 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
規格書
96庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模組 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
規格書
96庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模組 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
規格書
71庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模組 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
規格書
96庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模組 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
規格書
96庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模組 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
規格書
94庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模組 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
規格書
96庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模組 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
規格書
96庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模組 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module
規格書
96預期2026/4/17
最少： 1
倍數： 1

SiC Press Fit SiCPAK G 1.2 kV 9.3 mOhms SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET模組 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM
規格書
96預期2026/4/17
最少： 1
倍數： 1

SiC Press Fit SiCPAK G 1.2 kV 9.3 mOhms SiCPAK F Tray