結果: 10
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3
規格書
217庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 64.8 mOhms - 8 V, + 22 V 3.37 V 47.9 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
規格書
3,296庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
規格書
639庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 20

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
規格書
312庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
規格書
509庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
規格書
202庫存量
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TOLL 650V
規格書
1,364庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 2,000

SMD/SMT PSOF-8 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
規格書
398庫存量
1,350在途量
最少： 1
倍數： 1
最大： 90

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS 60MOHM 900V
規格書
475庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3
規格書
13庫存量
450預期2027/1/29
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC