OptiMOS™ 6功率MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 6功率MOSFET提供下一代前沿創新和業界最佳效能。OptiMOS 6系列採用薄晶圓技術，可顯著改善效能。相較於替代型產品，OptiMOS 6功率MOSFET的RDS(ON)降低30%，且已進行同步整流優化。

結果: 81
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
規格書
9,920在途量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 600 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 116 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
規格書
2,000在途量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-3 N-Channel 40 V 390 A 750 uOhms 20 V 3 V 100 nC - 55 C + 175 C 206 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220
規格書
500預期2026/3/12
最少： 1
倍數： 1

Si OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V
規格書
2,000預期2026/2/26
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 136 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 73 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
規格書
1,916預期2026/3/5
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 150 V 147 A 4.4 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
規格書
10,000預期2027/2/5
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 232 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 51 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel