STP65N045M9

STMicroelectronics
511-STP65N045M9
STP65N045M9

製造商：

說明：
MOSFET N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET
完成您的設計

規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於STMicroelectronics STP65N045M9的資訊

庫存量: 542

庫存：
542 可立即送貨
工廠前置作業時間：
16 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$274.38 NT$274.38
NT$152.66 NT$1,526.60
NT$140.42 NT$14,042.00
NT$121.38 NT$60,690.00
NT$121.04 NT$121,040.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
55 A
45 mOhms
- 30 V, 30 V
4.2 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
245 W
Enhancement
Tube
品牌: STMicroelectronics
產品類型: MOSFETs
系列: MDmesh M9
原廠包裝數量: 1000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

此功能需要啟用JavaScript。

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

MDmesh™ M9功率MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9功率MOSFET具備強化裝置結構、低導通電阻和低閘極電荷值。這些功率MOSFET具有高反向二極體dv/dt和MOSFET dv/dt耐用性、高功率密度和低傳導耗損。MDmesh M9功率MOSFET亦具有高開關速度、高效率和低開關功率耗損。這些功率MOSFET採用創新的高電壓超接面技術設計，可提供令人印象深刻的品質因數 (FoM)。高FoM可實現更高的功率等級和密度，進而使解決方案達到更輕巧的尺寸。其典型應用包括伺服器、電信資料中心、5G電力站、微型逆變器和快速充電器。

STP65N045M9 MDmesh M9 Power MOSFET

STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9 Power MOSFET is designed for medium/high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area. The device implements innovative super-junction MDmesh M9 technology offering a multi-drain manufacturing process that allows for an enhanced device structure.

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。