UG4SC 750V 8.4mΩ組合FET

安森美 (onsemi)的UG4SC 750V 8.4mΩ組合FET將750V SiC JFET和低壓Si MOSFET整合於單一TO-247-4L封裝中。此設計可實現常閉開關，同時可利用常開SiC JFET的超低導通電阻 [RDS(on)] 和we穩健性。安森美 (onsemi) 的UG4SC組合FET系列非常適合用於電路保護中的高能量開關。對於開關模式電源轉換，這些裝置為JFET和MOSFET提供獨立的閘極存取，從而提高速度控制並簡化多個裝置的並聯。

結果: 4
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
配置
Vds - 漏-源擊穿電壓
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓
Vgs=0 時的漏極-源極電流
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
onsemi JFET UG4SC075005L8S
規格書
1,793庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UG4S Reel, Cut Tape
onsemi JFET 750V/9MOCOMBO-FETG4TO247-4
規格書
577庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 4 uA 106 A 8.4 mOhms 375 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET 750V/6MOCOMBO-FETG4TO247-4
規格書
345庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5.3 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET 750V/11MOCOMBO-FETG4TO247-4
規格書
558庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 3.5 uA 104 A 10 mOhms 357 W - 55 C + 175 C UG4S Tube