STD12N60DM2AG

STMicroelectronics
511-STD12N60DM2AG
STD12N60DM2AG

製造商：

說明：
MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
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NT$77.79 NT$777.90
NT$53.78 NT$5,378.00
NT$43.74 NT$21,870.00
NT$42.30 NT$42,300.00
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
10 A
440 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
14.5 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
AEC-Q101
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 9.5 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 8 ns
系列: STD12N60DM2AG
原廠包裝數量: 2500
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 30 ns
標準開啟延遲時間: 15 ns
每件重量: 330 mg
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

合規守則
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國
封裝原產國:
中國
擴散國:
無資料
出貨時，國家可能會有所變更。

STD12N60DM2AG N-channel Power MOSFET

STMicroelectronics STD12N60DM2AG N-channel Power MOSFET is a part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diodes. This automotive-grade N-channel power MOSFET offers very low recovery charge (Qrr) and recovery time (trr) combined with low RDS(on). This power MOSFET features low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. STMicroelectronics STD12N60DM2AG N-channel Power MOSFET is suitable for demanding high-efficiency converters and for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

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