NXH010P90MNF1 SiC Module

onsemi NXH010P90MNF1 SiC Module contains a 10Mohm 900V SiC MOSFET half-bridge and an NTC thermistor in an F1 module. The module has a recommended gate voltage of 15V to 18V. The NXH010P90MNF1 has an improved RDS(ON) at a higher voltage and low thermal resistance.

結果: 2
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
系列
封裝
onsemi MOSFET模組 SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 900 V, 10 mohm SiC M2 MOSFET
規格書
8庫存量
最少： 1
倍數： 1
SiC Press Fit Module N-Channel 900 V 154 A 14 mOhms - 8 V, + 18 V - 40 C + 150 C 328 W NXH010P90MNF1 Tray
onsemi MOSFET模組 SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 900 V, 10 mohm SiC M2 MOSFET TIM option
規格書
28庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P90MNF1 Tray