QPD1029L

Name: Qorvo QPD1029L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1029L
Price: 56947.96 TWD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

772-QPD1029L

製造商編號：

QPD1029L

製造商：

Qorvo

說明：

氮化鎵場效應管 1.2-1.4GHz,1500W,65V,GaN RF I/P-Mtchd Tr

規格書:

QPD1029L 規格書 (PDF)

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Qorvo
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
品牌:	Qorvo
最大工作頻率:	1.4 GHz
最低工作頻率:	1.2 GHz
濕度敏感:	Yes
輸出功率:	1.5 kW
封裝:	Waffle
產品類型:	GaN FETs
系列:	QPD1029L
原廠包裝數量:	18
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	HEMT

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規格書

QPD1029L 規格書 (PDF)

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USHTS:: 8541497080
ECCN:: EAR99

QPD1029L GaN RF IMFET Transistor

Qorvo QPD1029L GaN RF Internally Matched FET (IMFET) Transistor is a 1500W (P_3dB) discrete GaN on SiC High Electron Mobility Transistor (HEMT). This RF IMFET operates between a 1.2GHz to 1.4GHz frequency range. The QPD1029L transistor provides ease of external board match and saves board space. This Qorvo transistor is a RoHS-compliant device. The QPD1029L IMFET transistor device is used in an industry-standard air cavity package and is ideally suited for radar.