NXH80T120L2Q0S2/P2G Q0PACK Power Modules

onsemi NXH80T120L2Q0S2/P2G Q0PACK Power Modules contain a T−type neutral point clamped (NPC) three-level inverter stage. The fast recovery diodes and integrated field stop trench IGBTs in the onsemi NXH80T120L2Q0S2/P2G provide lower switching losses and conduction losses, enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability.

結果: 2
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 產品 配置 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-發射極飽和電壓 連續集電極電流在25 C 柵射極漏電電流 Pd - 功率消耗 封裝/外殼 最低工作溫度 最高工作溫度 封裝
onsemi IGBT 模組 PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V SOLDER PINS TIM 23庫存量
最少: 1
倍數: 1

Q0PACK Modules Module 1.2 kV 2.05 V 67 A 300 nA 158 W - 40 C + 150 C Tray
onsemi IGBT 模組 PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V PRESS-FIT PINS 23庫存量
最少: 1
倍數: 1

IGBT Silicon Modules Quad 1.2 kV 2.1 V 67 A 300 nA 158 W 65.9 mm x 32.5 mm x 12 mm - 40 C + 150 C Tray