相腳SiC MOSFET電源模組

Microsemi/Microchip相腳SiC MOSFET電源模組由SiC MOSFET與SiC二極體組成，因此同時結合了兩種裝置的優點。這些模組具有極低電感的SP6LI封裝，最大雜散電感為3nH。這些SP6LI功率模組有1200伏與1700伏兩種型號，外殼溫度(Tc)為80°C。SP6LI封裝提供更高的功率密度與小巧的外形，使得並行的模組數量更少，從而實現完整的系統，幫助設計者進一步縮小裝置的尺寸。

結果: 8
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 產品
類型
技術
Vf - 順向電壓
Vr - 反向電壓
Vgs - 閘極-源極電壓
安裝風格
封裝/外殼
最低工作溫度
最高工作溫度
Microchip Technology 離散半導體模組 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
規格書
9庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.8 V 700 V - 10 V, + 25 V Screw Mount - 40 C + 175 C
Microchip Technology 離散半導體模組 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
規格書
3庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 700 V - 10 V, + 25 V Screw Mount - 40 C + 125 C
Microchip Technology 離散半導體模組 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
規格書
1庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology 離散半導體模組 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
規格書
5庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V SMD/SMT SP6 - 40 C + 125 C
Microchip Technology 離散半導體模組 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
規格書
1庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V SMD/SMT SP6 - 40 C + 125 C
Microchip Technology 離散半導體模組 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
規格書
8庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V SMD/SMT SP6 - 40 C + 125 C
Microchip Technology 離散半導體模組 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 2
倍數： 2

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology 離散半導體模組 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 2
倍數： 2

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 700 V - 10 V, + 25 V Screw Mount - 40 C + 125 C