寬能隙碳化矽裝置

與矽裝置相比，安森美(onsemi)寬能隙 (WBG) 碳化矽 (SiC) 裝置採用全新技術，可提供出色的開關性能及更高的可靠性。該系統的優勢包括：提高效率、快速工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統尺寸和成本。onsemi的碳化矽產品系列包括650V和1200V二極體、650V和1200V IGBT以及碳化矽二極體功率整合模組 (PIM)、1200V MOSFET和碳化矽MOSFET驅動器以及符合AEC-Q100標準的裝置。