1200V TRENCHSTOP™ IGBT6

Infineon Technologies 1200V TRENCHSTOP™ IGBT6是專為符合高效率、低傳導耗損和低切換耗損等需求所設計。TRENCHSTOP IGBT6具有低閘極電荷、低電磁干擾 (EMI)、容易並聯、在硬切換和諧振拓撲下具有高效率等特色。TRENCHSTOP IGBT6共推出2個產品系列,專為低傳導耗損最佳化的S6系列,和改善切換耗損的H6系列。IGBT6可輕鬆以隨插即用的方式取代前代的HighSpeed3 H3 IGBT。TRENCHSTOP IGBT6採用溝槽和場終止技術,並結合軟性及快速恢復反向並聯二極體。1200V TRENCHSTOP IGBT6結合VCEsat的正溫度係數,具有可輕鬆並聯的能力。其典型應用包括工業UPS能源儲存、三相太陽能串列變頻器和焊接。

結果: 5
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 封裝/外殼 安裝風格 配置 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-發射極飽和電壓 柵極發射機最大電壓 連續集電極電流在25 C Pd - 功率消耗 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY 2,344庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 30 A 200 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP IGBT6 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY 257庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 500 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT6 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
1,698在途量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 500 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT6 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
718在途量
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 150 A 880 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT6 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
240預期2026/2/16
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3-46 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 150 A 880 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT6 Tube