STGWA30M65DF2AG

Name: STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA30M65DF2AG
Price: 159.17 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

511-STGWA30M65DF2AG

製造商編號：

STGWA30M65DF2AG

製造商：

STMicroelectronics

說明：

IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

完成您的設計

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

STGWA30M65DF2AG 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG的資訊

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
封裝/外殼:	TO-247-3
安裝風格:	Through Hole
配置:	Single
集電極-發射極最大電壓VCEO:	650 V
集電極-發射極飽和電壓:	2.02 V
柵極發射機最大電壓:	20 V
連續集電極電流在25 C:	87 A
Pd - 功率消耗 :	441 W
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
資格:	AEC-Q101
封裝:	Tube
品牌:	STMicroelectronics
集電極最大連續電流Ic :	57 A
柵射極漏電電流:	250 nA
產品類型:	IGBTs
原廠包裝數量:	30
子類別:	Transistors
每件重量:	6.100 g

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

STGWA30M65DF2AG 規格書 (PDF)

PCN

合規守則

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

STGWA30M65DF2AG Automotive-Grade IGBT

STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG Automotive-Grade IGBT is designed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG offers an optimal system performance and efficiency balance for inverters, with low-loss and essential short-circuit functionality. The device is AEC-Q101 qualified and features a maximum junction temperature of +175°C, a 6μs short circuit withstand time, low V_CE(sat) of 1.7V at 30A, and tight parameter distribution. The device also includes a soft, fast-recovery antiparallel diode and low thermal resistance and is available in a TO-247 long leads package.