STP65N150M9

Name: STMicroelectronics STP65N150M9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP65N150M9
Price: 149.49 TWD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

511-STP65N150M9

製造商編號：

STP65N150M9

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET

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規格書:

STP65N150M9 規格書 (PDF)

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-220-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	20 A
Rds On - 漏-源電阻:	150 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3.2 V
Qg - 閘極充電:	32 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	140 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Tube
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降時間:	10 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	5 ns
系列:	MDmesh M9
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Transistors
標準斷開延遲時間:	40 ns
標準開啟延遲時間:	12 ns
每件重量:	2 g

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Other

Super-junction Power MOSFETs for best efficiency (PDF)

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合規守則

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

STP65N150M9 Power MOSFET

STMicroelectronics STP65N150M9 Power MOSFET is based on super-junction MDmesh M9 technology. The device is suitable for medium/high voltage MOSFETs featuring very low R_DS(on) per area. The silicon-based M9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process, allowing an enhanced device structure. The resulting product has one of the lower on-resistance and reduced gate charge values among all silicon-based fast-switching super-junction Power MOSFETs. This makes it ideal for applications that require superior power density and outstanding efficiency.

MDmesh™ M9功率MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9功率MOSFET具備強化裝置結構、低導通電阻和低閘極電荷值。這些功率MOSFET具有高反向二極體dv/dt和MOSFET dv/dt耐用性、高功率密度和低傳導耗損。MDmesh M9功率MOSFET亦具有高開關速度、高效率和低開關功率耗損。這些功率MOSFET採用創新的高電壓超接面技術設計，可提供令人印象深刻的品質因數 (FoM)。高FoM可實現更高的功率等級和密度，進而使解決方案達到更輕巧的尺寸。其典型應用包括伺服器、電信資料中心、5G電力站、微型逆變器和快速充電器。