Silicon Carbide (SiC) Devices

IXYS Silicon Carbide (SiC) Devices are ideal for applications where improvements in efficiency, reliability, and thermal management are desired. IXYS focuses on developing the most reliable Silicon Carbide Semiconductor Devices available.

結果: 7
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
配置
If - 順向電流
Vrrm - 重複反向電壓
Vf - 順向電壓
Ifsm - 順向浪湧電流
Ir - 反向電流
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
IXYS 碳化矽肖特基二極管 Pwr Diode Disc-Schottky SOT-227B miniblc
規格書
90庫存量
最少： 1
倍數： 1

Screw Mount SOT-227B-4 Dual 105 A 1.2 kV 1.6 V 1.15 kA 140 uA - 40 C + 150 C Tube
IXYS 碳化矽肖特基二極管 Pwr Diode Disc-Schottky SOT-227B miniblc
規格書
5庫存量
最少： 1
倍數： 1

Screw Mount SOT-227B-4 Dual 44 A 1.2 kV 1.5 V 1.15 kA 35 uA - 40 C + 150 C Tube
IXYS 碳化矽肖特基二極管 Power Diode Disc-Schottky ISOPLUS247
規格書
暫無庫存
最少： 30
倍數： 30

Through Hole ISO247-3 Series 22 A 1.2 kV 1.5 V 750 A 30 uA - 40 C + 150 C Tube
IXYS 碳化矽肖特基二極管 Power Diode Disc-Schottky ISOPLUS247
規格書
暫無庫存
最少： 30
倍數： 30

Through Hole ISO247-3 Series 31.7 A 1.2 kV 1.5 V 1 kA 35 uA - 40 C + 150 C Tube
IXYS 碳化矽肖特基二極管 Power Diode Disc-Schottky ISOPLUS247
規格書
暫無庫存
最少： 30
倍數： 30

Through Hole ISO247-3 Dual Anode Common Cathode 22 A 1.2 kV 1.5 V 750 A 30 uA - 40 C + 150 C Tube
IXYS 碳化矽肖特基二極管 Power Diode Disc-Schottky ISOPLUS247
規格書
暫無庫存
最少： 30
倍數： 30

Through Hole ISO247-3 Dual Anode Common Cathode 31.7 A 1.2 kV 1.5 V 1 kA 35 uA - 40 C + 150 C Tube
IXYS 碳化矽肖特基二極管 Pwr Diode Disc-Schottky SOT-227B miniblc
規格書
暫無庫存
最少： 100
倍數： 100

Screw Mount SOT-227B-4 Dual 73 A 1.2 kV 1.5 V 1.15 kA 70 uA - 40 C + 150 C Tube