RH7P04BBKFRATCB

ROHM Semiconductor
755-RH7P04BBKFRATCB
RH7P04BBKFRATCB

製造商：

說明：
MOSFET DFN8 N CHAN 100V

壽命週期:
新產品:
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規格書:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$81.94 NT$81.94
NT$52.70 NT$527.00
NT$36.04 NT$3,604.00
NT$28.66 NT$14,330.00
NT$26.66 NT$26,660.00
完整捲（訂購多個3000）
NT$23.43 NT$70,290.00
NT$22.95 NT$137,700.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ROHM Semiconductor
產品類型: MOSFET
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
100 V
40 A
13.8 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
19.8 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
品牌: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降時間: 12 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 19 ns
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 50 ns
標準開啟延遲時間: 14 ns
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RH7P04BBKFRA 100V N-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N-Channel Power MOSFET is a 100V drain-source voltage (VDSS) and ±40A continuous drain current (ID) rated automotive-grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. The drain-source on-state resistance [RDS(ON)] is 13.8mΩ (max.) (VGS = 10V, ID = 20A) and comes in a 3.3mm x 3.3mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB) package. The ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA MOSFET is ideal for Advanced Driver Assistance Systems (ADAS), information, lighting, and body applications.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

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