SIA466EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIA466EDJ-T1-GE3
SIA466EDJ-T1-GE3

製造商：

說明：
MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

規格書:
ECAD模型:
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Pricing (TWD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
NT$35.70 NT$35.70
NT$22.27 NT$222.70
NT$14.59 NT$1,459.00
NT$11.25 NT$5,625.00
NT$10.20 NT$10,200.00
完整捲（訂購多個3000）
NT$8.81 NT$26,430.00
NT$8.13 NT$48,780.00
NT$7.85 NT$70,650.00
NT$7.58 NT$181,920.00
† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SC-70-6
N-Channel
1 Channel
20 V
25 A
9.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
19.2 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Single
產品類型: MOSFETs
系列: SIA
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET®第四代MOSFET是下一代TrenchFET®系列功率MOSFET。TrenchFET第四代MOSFET在PowerPAK® SO-8及1212-8S封裝中提供工業低電阻與低柵極總電荷。這些TrenchFET第四代MOSFET具有極低的RDS(on)特性，轉化為更低的傳導損耗，從而降低功耗。TrenchFET MOSFET還配備了節省空間的PowerPAK® 1212-8封裝，具有類似的效率，但體積只有它的三分之一。典型應用包括大功率DC/DC變換器、同步整流、太陽能微型逆變器及電機驅動開關。

SiA466EDJ N-Channel 20V (D-S) MOSFET

Vishay SiA466EDJ is an N-Channel 20V (D-S) MOSFET designed using the SC-70 package with a footprint area of 2.05mm by 2.05mm. It has a typical ESD protection of 2500V and is Rg tested. Vishay SiA466EDJ is typically used for smartphones, mobile computing, DC/DC converters, power management, and load switches.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors. 

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