NXH020P120MNF1 SiC Module

onsemi NXH020P120MNF1 SiC Module contains a 20Mohm 1200V SiC MOSFET half-bridge and an NTC thermistor in an F1 module. The module has a recommended gate voltage of 18V to 20V. The NXH020P120MNF1 features an improved RDS(ON) at higher voltage and low thermal resistance.

結果: 2
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
系列
封裝

onsemi MOSFET模組 SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm SiC M1 MOSFET
規格書
28庫存量
最少： 1
倍數： 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 51 A 30 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 211 W NXH020P120MNF1 Tray

onsemi MOSFET模組 SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm SiC M1 MOSFET with TIM
規格書
無庫存前置作業時間 17 週
最少： 28
倍數： 28

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH020P120MNF1 Tray