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FDT4N50NZU

Name: onsemi FDT4N50NZU
Brand: onsemi
SKU: 863-FDT4N50NZU
Price: 64.26 TWD
Availability: InStock

Mouser 編號：

863-FDT4N50NZU

製造商編號：

FDT4N50NZU

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET UNIFET II 3OHM SOT223

規格書:

FDT4N50NZU 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於onsemi FDT4N50NZU的資訊

庫存量: 4,984

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輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$64.26	NT$64.26
	NT$40.46	NT$404.60
	NT$27.68	NT$2,768.00
	NT$21.93	NT$10,965.00
	NT$20.30	NT$20,300.00
	NT$18.97	NT$37,940.00
完整捲（訂購多個4000）
	NT$18.97	NT$75,880.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	500 V
Id - C連續漏極電流:	2 A
Rds On - 漏-源電阻:	3 Ohms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 25 V, 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	5.5 V
Qg - 閘極充電:	9.1 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	2 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	onsemi
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	MY
產品類型:	MOSFETs
系列:	FDT4N50NZU
原廠包裝數量:	4000
子類別:	Transistors

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

FDT4N50NZU 規格書

PCN

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FDT4N50NZU UniFET II MOSFET

onsemi FDT4N50NZU UniFET II MOSFET is a high voltage MOSFET based on advanced planar stripe and DMOS technology. The MOSFET has a small on-state resistance among the planar MOSFET. It provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. An internal gate-source ESD diode allows the UniFET II MOSFET to withstand over 2kV HBM surge stress.