結果: 137
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 公司名稱 封裝
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 1
倍數: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 790 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.1 50 Ohm, 17 A MDmesh 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 1,000
倍數: 1,000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 179 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V .0308 Ohm 11A MDmesh V MOS 前置作業時間 14 週
最少: 1
倍數: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 340 mOhms 85 W MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V MDMesh M5 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 1
倍數: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 600
倍數: 600

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 96 A 19 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 350 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 500 Volt 60 Amp 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 600
倍數: 600

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 266 nC - 65 C + 150 C 560 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.63 Ohm 6.5A MDmesh II PWR 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 1,000
倍數: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.5 A 630 mOhms MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp 暫無庫存
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 450 mOhms - 30 V, 30 V - 65 C + 150 C 160 W Enhancement Reel
STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 95 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 72 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 1,000
倍數: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6.5 A 1.05 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 1,000
倍數: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 600 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 15 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V 0.27ohms 13A Mdmesh 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 600
倍數: 600
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 260 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 35 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube