CGHV31500F1 MACOM | Mouser 臺灣

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	MACOM
產品類型:	氮化鎵場效應管
付運限制：	Mouser目前不在您的地區出售本產品。
RoHS:	N
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	440226-2
晶體管極性:	N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	150 V
Id - C連續漏極電流:	500 mA
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 75 C
Pd - 功率消耗 :	418 W
品牌:	MACOM
最大漏柵電壓:	- 2.7 V
最大工作頻率:	3.1 GHz
最低工作頻率:	2.7 GHz
輸出功率:	500 W
封裝:	Tray
產品類型:	GaN FETs
原廠包裝數量:	1
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	GaN HEMT

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

CGHV31500F1 規格書 (PDF)

PCN

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合規守則

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.2

原產地分類

原產國:: 美國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

CGHV31500F1 2.7GHz to 3.1GHz, 500W GaN HEMT

MACOM CGHV31500F1 2.7GHz to 3.1GHz, 500W GaN HEMT offers high efficiency and high gain designed explicitly for the 2.7GHz to 3.1GHz S-Band radar band. The gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) delivers an extended pulse capability to meet emerging radar architecture trends.