QPD1006

Name: Qorvo QPD1006
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1006
Price: 39731.72 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

772-QPD1006

製造商編號：

QPD1006

製造商：

Qorvo

說明：

氮化鎵場效應管 450W 50V 1.2-1.4GHz GaN IMFET

規格書:

QPD1006 規格書 (PDF)

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$39,731.72	NT$39,731.72
	NT$35,254.94	NT$352,549.40

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Qorvo
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	NI-50CW
晶體管極性:	N-Channel
Id - C連續漏極電流:	14 A
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 85 C
Pd - 功率消耗 :	445 W
品牌:	Qorvo
配置:	Single
開發套件:	QPD1006EVB3
增益:	17.8 dB
最大漏柵電壓:	145 V
最大工作頻率:	1.4 GHz
最低工作頻率:	1.2 GHz
濕度敏感:	Yes
輸出功率:	450 W
封裝:	Waffle
產品類型:	GaN FETs
系列:	QPD1006
原廠包裝數量:	36
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	HEMT

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所選屬性: 0

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規格書

QPD1006 規格書 (PDF)

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USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

QPD1006 GaN RF IMFET Transistor

Qorvo QPD1006 GaN RF Internally Matched FET (IMFET) Transistor is a 450W GaN SiC high-electron mobility transistor (HEMT). The QPD1006 transistor operates from 1.2GHz to 1.4GHz frequency range and a 50V supply rail. This device can support pulsed and continuous wave (CW) operations. Qorvo QPD1006 transistor is GaN IMFET fully matched to 50Ω in an industry-standard air cavity package. This IMFET transistor is ideally suited for military and civilian radar.