QuadRAM裝置

ISSI QuadRAM裝置內含使用自更新DRAM陣列的8Mb/16Mb/32Mb偽靜態隨機存取記憶體 (RAM)。這些陣列的8Mb、16Mb和32Mb容量組合方式分別為8位元1M字組、8位元2M字組和8位元4M字組。QuadRAM裝置支援與JEDEC標準x4 xSPI快閃記憶體相容的Quad DDR介面。這些裝置支援低訊號腳位數、隱藏更新作業，並可在汽車溫度範圍下作業。由於採用DDR作業，透過4個SIO腳位傳輸的最小資料大小為一個位元組（8位元）。

結果: 6
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 存儲容量
組織
存取時間
最高時鐘頻率
接口類型
電源電壓 - 最大值
電源電壓 - 最小值
電源電流 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
安裝風格
封裝/外殼

ISSI SRAM 16Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
375庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 8

16 Mbit 4 M x 4 7 ns 133 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24

ISSI SRAM 32Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
389庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 1

32 Mbit 8 M x 4 7 ns 133 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24

ISSI SRAM 8Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
415庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 200

8 Mbit 2 M x 4 7 ns 133 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24

ISSI SRAM 16Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
464庫存量
最少： 1
倍數： 1

16 Mbit 4 M x 4 5 ns 200 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24

ISSI SRAM 8Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
262庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 200

8 Mbit 2 M x 4 5 ns 200 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24
ISSI IS66WVQ8M4DALL-200BLI
ISSI SRAM 32Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
46庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 13

32 Mbit 8 M x 4 5 ns 200 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24