SI3129DV-T1-GE3

Name: Vishay SI3129DV-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI3129DV-T1-GE3
Price: 35.7 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

78-SI3129DV-T1-GE3

製造商編號：

SI3129DV-T1-GE3

製造商：

Vishay / Siliconix

說明：

MOSFET TSOP6 P-CH 80V 3.8A

規格書:

SI3129DV-T1-GE3 規格書

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$35.70	NT$35.70
	NT$22.41	NT$224.10
	NT$14.65	NT$1,465.00
	NT$11.32	NT$5,660.00
	NT$10.23	NT$10,230.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$8.70	NT$26,100.00
	NT$7.72	NT$46,320.00
	NT$7.62	NT$68,580.00
	NT$7.34	NT$176,160.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Vishay
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TSOP-6
晶體管極性:	P-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	80 V
Id - C連續漏極電流:	5.4 A
Rds On - 漏-源電阻:	82.7 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.5 V
Qg - 閘極充電:	12 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	4.2 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	TrenchFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降時間:	12 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	8 ns
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	TrenchFET Power MOSFET
標準斷開延遲時間:	25 ns
標準開啟延遲時間:	15 ns
每件重量:	20 mg

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規格書

SI3129DV-T1-GE3 規格書

Technical Resources

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ECCN:: EAR99

Si3129DV P-Channel 80V (D-S) MOSFET

Vishay / Siliconix Si3129DV P-Channel 80V (D-S) MOSFET is 100% R_g tested in a TSOP-6 single package. The Si3129DV MOSFET offers a ±20V gate-source voltage and an -55°C to 150°C operating junction temperature range. The Vishay / Siliconix Si3129DV P-Channel 80V MOSFET is designed for power management for portable and consumer applications.