IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.

結果: 10
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 產品
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
連續集電極電流在25 C
柵射極漏電電流
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 900 A dual IGBT module
規格書
6庫存量
最少： 1
倍數： 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 450 A dual IGBT module
規格書
17庫存量
最少： 1
倍數： 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 300 A dual IGBT module
規格書
25庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 2300 V, 1800 A dual IGBT module
規格書
2庫存量
最少： 1
倍數： 1

Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 600 A dual IGBT module
規格書
18庫存量
20預期2026/2/26
最少： 1
倍數： 1

Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 900 A dual IGBT module
規格書
10庫存量
最少： 1
倍數： 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 900 A dual IGBT module
規格書
20預期2026/4/28
最少： 1
倍數： 1
否
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 PP IHM I
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 1
倍數： 1

Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 750 A dual IGBT module
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 10
倍數： 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 750 A dual IGBT module
規格書
無庫存前置作業時間 14 週
最少： 10
倍數： 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray