TO-220ACG SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor TO-220ACG Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) feature a reverse voltage range of 650V to 1200V and a continuous reverse current range of 1.2µA to 20.0µA. SiC technology enables these devices to maintain a low capacitive charge (QC), reducing switching loss while enabling high-speed switching operation. In addition, unlike Si-based fast-recovery diodes, where the reverse recovery time increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance.

結果: 10
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
配置
If - 順向電流
Vrrm - 重複反向電壓
Vf - 順向電壓
Ifsm - 順向浪湧電流
Ir - 反向電流
最高工作溫度
封裝
ROHM Semiconductor 碳化矽肖特基二極管 RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
規格書
2,719庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 15 A 1.2 kV 1.6 V 62 A 300 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 碳化矽肖特基二極管 RECT 1.2KV 5A RDL SIC SKY
規格書
3,968庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 5 A 1.2 kV 1.6 V 23 A 100 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 碳化矽肖特基二極管 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 15A, 2nd Gen
規格書
6,417庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 15 A 650 V 1.55 V 52 A 300 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 碳化矽肖特基二極管 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 8A, 2nd Gen
規格書
1,701庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 8 A 650 V 1.55 V 30 A 160 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 碳化矽肖特基二極管 RECT 1.2KV 10A RDL SIC SKY
規格書
752庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 10 A 1.2 kV 1.6 V 42 A 200 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 碳化矽肖特基二極管 RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY
規格書
1,391庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 20 A 1.2 kV 1.6 V 79 A 400 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 碳化矽肖特基二極管 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 10A, 2nd Gen
規格書
770庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 10 A 650 V 1.55 V 38 A 200 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 碳化矽肖特基二極管 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 12A, 2nd Gen
規格書
830庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 12 A 650 V 1.55 V 43 A 240 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 碳化矽肖特基二極管 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen
規格書
11庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 20 A 650 V 1.55 V 68 A 400 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 碳化矽肖特基二極管 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 6A, 2nd Gen
規格書
無庫存前置作業時間 21 週

Through Hole TO-220ACG-2 Single 6 A 650 V 1.55 V 23 A 120 uA + 175 C Tube