GT20N135SRA,S1E

Name: Toshiba GT20N135SRA,S1E
Brand: Toshiba
SKU: 757-GT20N135SRA,S1E
Price: 130.9 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

757-GT20N135SRA,S1E

製造商編號：

GT20N135SRA,S1E

製造商：

Toshiba

說明：

IGBT DISCRET IGBT TRANSTR Vces=1350V Ic=40A

規格書:

GT20N135SRA,S1E 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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NT$-.--

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$130.90	NT$130.90
	NT$89.42	NT$894.20
	NT$74.80	NT$8,976.00
	NT$72.76	NT$37,107.60
	NT$70.72	NT$72,134.40
	NT$68.34	NT$172,216.80

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Toshiba
產品類型:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
封裝/外殼:	TO-247-3
安裝風格:	Through Hole
配置:	Single
集電極-發射極最大電壓VCEO:	1.35 kV
集電極-發射極飽和電壓:	2.4 V
柵極發射機最大電壓:	- 25 V, 25 V
連續集電極電流在25 C:	40 A
Pd - 功率消耗 :	312 W
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
封裝:	Tube
品牌:	Toshiba
柵射極漏電電流:	100 nA
產品類型:	IGBT Transistors
原廠包裝數量:	30
子類別:	IGBTs
每件重量:	6.150 mg

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所選屬性: 0

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規格書

GT20N135SRA,S1E 規格書 (PDF)

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

GT20N135SRA Silicon N-Channel IGBT

Toshiba GT20N135SRA Silicon N-Channel IGBT is a 6.5th generation IGBT and consists of a Freewheeling Diode (FWD) monolithically integrated with an IGBT chip. This IGBT features a low saturation voltage of 1.60V and operates at a maximum of 175°C high junction temperature and 0.25µs of high-speed switching. The GT20N135SRA Silicon N-Channel IGBT is ideal for voltage-resonant inverter switching, soft switching, induction cooktops, and home appliance applications.