MMFTP2319

Name: Diotec Semiconductor MMFTP2319
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-MMFTP2319
Price: 20.74 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

637-MMFTP2319

製造商編號：

MMFTP2319

製造商：

Diotec Semiconductor

說明：

MOSFET MOSFET, SOT-23, -40V, -4.2A, 150C, P

規格書:

MMFTP2319 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Diotec Semiconductor MMFTP2319的資訊

庫存量: 3,733

庫存：: 3,733 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$20.74	NT$20.74
	NT$14.65	NT$146.50
	NT$10.23	NT$1,023.00
	NT$8.98	NT$4,490.00
	NT$8.33	NT$8,330.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$6.15	NT$18,450.00
	NT$4.59	NT$41,310.00
	NT$4.45	NT$106,800.00
	NT$3.40	NT$153,000.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Diotec Semiconductor
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	SOT-23-3
晶體管極性:	P-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	40 V
Id - C連續漏極電流:	4.2 A
Rds On - 漏-源電阻:	80 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3 V
Qg - 閘極充電:	20 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	750 mW
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	Diotec Semiconductor
配置:	Single
下降時間:	4 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	28 ns
系列:	MMFTN/P
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
標準斷開延遲時間:	19 ns
標準開啟延遲時間:	15 ns

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

MMFTP2319 規格書 (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET

Diotec Semiconductor MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET offers fast switching times in a SOT-23/TO-236 package. The MMFTP2319 FET features a 40V maximum drain-source voltage, 750mW maximum power dissipation, and a 4.2A maximum drain current in a -50°C to +150°C junction temperature range. The Diotec Semiconductor MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET is ideal for signal processing, battery management, drivers, and logic-level converters.