DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

結果: 113
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A
規格書
150庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 327 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS
規格書
53庫存量
250預期2026/4/17
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11.1 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52
規格書
251庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 520 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC
規格書
94庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC
規格書
78庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
規格書
128庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
規格書
31庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC
規格書
156庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
規格書
121庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si N-Channel 1 Channel DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
規格書
79庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tray

Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
規格書
19庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
規格書
7庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 45W
規格書
254庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 180W
規格書
50庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
規格書
150庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 18.5 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET MOSFET NChtrr100ns 0.25ohm DTMOS
規格書
92庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-220 PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS
規格書
100庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 175 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
規格書
68庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-3PN PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS
規格書
50庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 155 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tray

Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
規格書
98庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 55 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
規格書
58庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
規格書
131庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 94 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET TO-247(OS) PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
規格書
60庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC
規格書
43庫存量
50預期2026/3/16
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC
規格書
34庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube