DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

結果: 113
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 88.3W 700pF 9.7A
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 88.3 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
捲: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.1 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 165W
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11.5 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=100W F=1MHZ
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
捲: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 11.5 A 340 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 340mOhm 11.5A 100W 890pF
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1
倍數： 1
捲: 75

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 265 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W DTMOSIV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 104W 890pF 11.5A
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 300 mOhms 104 W DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
捲: 1,000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel

Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=139W F=1MHZ
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
捲: 1,000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 139 W DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET DFN8x8-OS PD=156W 1MHz PWR MOSFET TRNS
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 156W 1680pF 20A
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB PD=230W F=1MHZ
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 94 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8 8 PD=240W F=1MHZ
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
捲: 5,000

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 90 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET DFN8x8-OS PD=240W 1MHz PWR MOSFET TRNS
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube