NVHL025N65S3

Name: onsemi NVHL025N65S3
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL025N65S3
Price: 668.44 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-NVHL025N65S3

製造商編號：

NVHL025N65S3

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET SUPERFET3 650V

規格書:

NVHL025N65S3 規格書

ECAD模型:

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	NT$668.44	NT$668.44
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	75 A
Rds On - 漏-源電阻:	25 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.5 V
Qg - 閘極充電:	236 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	595 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q101
公司名稱:	SuperFET
封裝:	Tube
品牌:	onsemi
配置:	Single
下降時間:	107 ns
互導 - 最小值:	78.5 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	109 ns
系列:	SPM3
原廠包裝數量:	450
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	120 ns
標準開啟延遲時間:	43.3 ns
每件重量:	6 g

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所選屬性: 0

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規格書

NVHL025N65S3 規格書

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVHL025N65S3 N-Channel SUPERFET® III

onsemi NVHL025N65S3 N-Channel SUPERFET^® III is an easy-drive, high-voltage Super-Junction (SJ) MOSFET that utilizes charge balance technology. This SUPERFET provides outstanding low ON-resistance and low gate charge performance. The NVHL025N65S3 SUPERFET minimizes conduction loss, offers good switching performance, and withstands extreme dv/dt rate. This SUPERFET manages EMI issues and allows for easy design implementation. Typical applications include automotive PHEV-BEV DC/DC converter and automotive onboard charger for PHEV-BEV.

SuperFET® III MOSFET

onsemi SuperFET^® III MOSFET是高電壓超級結(SJ)N通道MOSFET，設計用於滿足電訊、伺服器、電動汽車 (EV) 充電器及太陽能產品的高功率密度、系統效率及出色的可靠性要求。這些裝置融合一流可靠性、低EMI、卓越效率及卓越的熱性能，使它們成為高性能應用的理想選擇。憑藉其性能特性， SuperFET III MOSFET提供的廣泛封裝選項可為產品設計師提供高度靈活性，特別是尺寸受限的設計。