SIEH4800EW-T1-GE3

Vishay
78-SIEH4800EW-T1-GE3
SIEH4800EW-T1-GE3

製造商：

說明：
MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於Vishay SIEH4800EW-T1-GE3的資訊

庫存量: 2,765

庫存：
2,765 可立即送貨
工廠前置作業時間：
20 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$202.98 NT$202.98
NT$141.10 NT$1,411.00
NT$102.00 NT$10,200.00
NT$101.32 NT$50,660.00
NT$82.62 NT$247,860.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: MOSFET
Si
SMD/SMT
PowerPAK-8
N-Channel
1 Channel
80 V
34 A
1.15 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
278 nC
- 55 C
+ 175 C
3.4 W
Enhancement
品牌: Vishay
下降時間: 30 ns
互導 - 最小值: 150 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 40 ns
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 45 s
標準開啟延遲時間: 140 ns
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

此功能需要啟用JavaScript。

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SiEH4800EW 80V TrenchFET® Gen IV N-Channel MOSFET

Vishay / Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET® Gen IV N-Channel MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications. Housed in a compact PowerPAK® 8mm x 8mm bond wireless (BWL) package, the SiEH4800EW delivers an exceptionally low on-resistance of 0.00115Ω at a VGS of 10V, minimizing conduction losses and improving thermal performance. With a maximum continuous drain current of 260A and a low gate charge of 117nC, the Vishay / Siliconix MOSFET is optimized for fast switching and high-current handling, making it ideal for use in synchronous rectification, motor drives, and high-performance DC-DC converters. A rugged design and advanced trench technology ensure reliable operation in demanding environments.

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。