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SI6423ADQ-T1-GE3

Name: Vishay SI6423ADQ-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI6423ADQ-T1-GE3
Price: 49.64 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

78-SI6423ADQ-T1-GE3

製造商編號：

SI6423ADQ-T1-GE3

製造商：

Vishay / Siliconix

說明：

MOSFET TSSOP8 P-CH 20V 10.3A

規格書:

SI6423ADQ-T1-GE3 規格書

ECAD模型:

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MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$49.64	NT$49.64
	NT$31.28	NT$312.80
	NT$20.81	NT$2,081.00
	NT$16.29	NT$8,145.00
	NT$14.82	NT$14,820.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$12.95	NT$38,850.00
	NT$12.04	NT$72,240.00
	NT$11.53	NT$103,770.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Vishay
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TSSOP-8
晶體管極性:	P-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	20 V
Id - C連續漏極電流:	12.5 A
Rds On - 漏-源電阻:	9.8 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 8 V, 8 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1 V
Qg - 閘極充電:	112 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	2.2 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	TrenchFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Vishay / Siliconix
下降時間:	36 ns
互導 - 最小值:	70 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	4 ns
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	TrenchFET Power MOSFET
標準斷開延遲時間:	120 ns
標準開啟延遲時間:	12 ns
每件重量:	158 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

SI6423ADQ-T1-GE3 規格書

PCN

Technical Resources

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Si6423ADQ P-Channel 20V MOSFET

Vishay / Siliconix Si6423ADQ P-Channel 20V MOSFET is offered in a TSSOP-8 package with a -20V drain-source voltage and 20mJ single pulse avalanche energy rating. This MOSFET features a single configuration design. It is halogen-free, RoHS compliant, and 100% R_g and UIS tested. Vishay Si6423ADQ P-Channel 20V MOSFET is designed for load switches, battery switches, and power management applications.

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.