LSIC1MO170E0750

IXYS
576-LSIC1MO170E0750
LSIC1MO170E0750

製造商：

說明：
碳化矽MOSFET TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC

規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於IXYS LSIC1MO170E0750的資訊

庫存量: 1,927

庫存：
1,927 可立即送貨
工廠前置作業時間：
29 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$282.20 NT$282.20
NT$165.58 NT$1,655.80
NT$140.76 NT$14,076.00
NT$140.42 NT$63,189.00
10,350 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
IXYS
產品類型: 碳化矽MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
6.2 A
1 Ohms
- 5 V, + 20 V
4 V
13 nC
- 55 C
+ 175 C
60 W
Enhancement
品牌: IXYS
封裝: Tube
產品類型: SiC MOSFETS
系列: LSIC1MO
原廠包裝數量: 450
子類別: Transistors
技術: SiC
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

LSIC1MO170E0750 N-Channel SiC MOSFET

IXYS LSIC1MO170E0750 is a 750mΩ N-channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET optimized for high-frequency and high-efficiency applications. The low gate resistance and ultra-low on-resistance make it suitable for high-frequency switching applications. This device features extremely low gate charge and output capacitance, as well as normally-off operations at all temperatures. The IXYS LSIC1MO170E0750 is suitable for a variety of applications that utilize high-frequency switching, such as switch-mode power supplies, solar inverters, UPS systems, high voltage DC-DC converters, and more.

SiC MOSFET

Littelfuse SiC MOSFET專為高頻、高效應用最佳化。這些耐用的SiC MOSFET採用TO-247-3L封裝，擁有超低導通電阻。Littelfuse提供內部設計、開發及製造的SiC MOSFET，這些裝置具備極低的閘極電荷與輸出電容，所有溫度範圍下均提供領先業界的效能與耐用性，且具備超低的導通電阻。現在提供1200V、120和160毫歐版本。

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。