60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs offer low reverse transfer capacitance in an AEC-Q101-qualified DFN5060-8L package. Operating within a -55°C to +150°C junction temperature range, these MOSFETs provide a maximum power dissipation range from 20W to 50W and single pulse avalanche ratings (28A current, 39mJ energy). Applications include automotive LED lighting, wireless chargers, and DC/DC converters.

結果: 5
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
封裝
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 215 A
規格書
1,980庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 215 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 82 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 95 A
規格書
1,907庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 95 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 40 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 64 A
規格書
1,429庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 64 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Panjit MOSFET 60V 6m ohms AECQ101 qualified Solution for Automotive lighting
規格書
9,000預期2026/10/7
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 68 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
規格書
暫無庫存
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 3,000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel