SIA429DJT-T1-GE3

Vishay Semiconductors
781-SIA429DJT-T1-GE3
SIA429DJT-T1-GE3

製造商：

說明：
MOSFET -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70

規格書:
ECAD模型:
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Pricing (TWD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
NT$34.06 NT$34.06
NT$21.08 NT$210.80
NT$13.69 NT$1,369.00
NT$10.50 NT$5,250.00
NT$9.46 NT$9,460.00
完整捲（訂購多個3000）
NT$8.14 NT$24,420.00
NT$7.49 NT$44,940.00
NT$7.03 NT$63,270.00
† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SC-70-6
P-Channel
1 Channel
20 V
12 A
20.5 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
62 nC
- 55 C
+ 150 C
3.5 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Single
產品類型: MOSFETs
系列: SIA
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
零件號別名: SIA429DJT-GE3
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
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所選屬性: 0

合規守則
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
中國
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時，國家可能會有所變更。

SiA429DJT 20V P通道MOSFET

Vishay Siliconix SiA429DJT 20V P通道TrenchFET®功率MOSFET在業界中為少於0.8mm厚度的P通道設備提供最低的導通電阻，也為所有2mm x 2mm P通道設備提供最低的導通電阻。Vishay Siliconix SiA429DJT TrenchFET功率MOSFET有一個熱增強PowerPAK® SC-70的超薄封裝，厚度只有0.6mm。SiA429DJT適用於DC／DC轉換器，以及負載和充電器開關。SiA429DJT TrenchFET功率MOSFET的導通電阻於1.8V時比最近似的競爭設備低12%，包括一般0.8 mm厚度的MOSFET。較低的導通電阻可以降低導電損失。
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