High Speed Trench & Fieldstop IGBTs

Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs use TrenchStop™ and Fieldstop technology to provide superb switching performance, very low VCEsat, and low EMI. Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs are ideal for uninterruptible power supplies applications. The IGW25N120H3 IGBT is recommended in combination with SiC Diode IDH15S120 and is also used for solar inverter applications. The IKW15N120H3, IKW30N60H3, and IKW20N60H3 IGBTs are each part of a high speed DuoPack and come with a very soft, fast recovery anti-parallel diode.

結果: 5
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
封裝/外殼
安裝風格
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
柵極發射機最大電壓
連續集電極電流在25 C
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝

Infineon Technologies IGBT 600V 30A 187W
規格書
5,888庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 60 A 187 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube

Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
規格書
418庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.05 V - 20 V, 20 V 30 A 217 W - 40 C + 175 C HighSpeed 3 Tube

Infineon Technologies IGBT 600V 40A 306W
規格書
235庫存量
240預期2026/5/26
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 80 A 306 W - 40 C + 175 C HighSpeed 3 Tube

Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
規格書
51庫存量
240預期2026/3/5
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.05 V - 20 V, 20 V 30 A 217 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT4 Tube

Infineon Technologies IGBT 600V 20A 170W
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 240
倍數： 240

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 40 A 170 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube