CGHV14800F

Name: MACOM CGHV14800F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV14800F
Price: 53181.78 TWD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

941-CGHV14800F

製造商編號：

CGHV14800F

製造商：

MACOM

說明：

氮化鎵場效應管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt

規格書:

CGHV14800F 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$53,181.78	NT$531,817.80

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	MACOM
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	440117
晶體管極性:	N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	150 V
Id - C連續漏極電流:	24 A
Vgs th - 門源門限電壓 :	- 3.8 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 100 C
品牌:	MACOM
開發套件:	CGHV14800F-TB
增益:	14 dB
最大工作頻率:	1.4 GHz
最低工作頻率:	1.2 GHz
輸出功率:	800 W
封裝:	Tray
產品類型:	GaN FETs
原廠包裝數量:	10
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	GaN HEMT
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓:	- 10 V to 2 V
每件重量:	71 g

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規格書

CGHV14800F 規格書 (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CGHV14800 GaN HEMT

MACOM CGHV14800F 800W Gallium-Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) is designed specifically for high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. The module is ideal for 1.2GHz to 1.4GHz L-band radar amplifier applications, such as air traffic control (ATC), weather, penetration, and military. MACOM CGHV14800F GaN HEMT operates at 50V, typically delivering more than 65% drain efficiency. This device is supplied in a ceramic/metal flange type 440117 package.