N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

結果: 104
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
封裝
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
規格書
1,000預期2026/7/21
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
規格書
無庫存前置作業時間 9 週
最少： 7,000
倍數： 7,000
捲: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.7 A 420 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31.5 nC - 55 C + 150 C 83.3 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1
捲: 5,000

Si Reel, Cut Tape