Half Bridge IGBTs

Vishay Semiconductors Half Bridge IGBTs feature Trench IGBT technology and current ratings of 100A, 150A, and 200A. These IGBTs have low conduction losses, low junction-to-case thermal reduction, and a direct mounting to heatsink design. Half Bridge IGBTs offer Gen 4 FRED Pt® anti-parallel diodes with ultra-soft reverse recovery characteristics. Vishay Semiconductors Half Bridge IGBTs are optimized for high-current inverter stages, such as AC TIG welding machines.

結果: 5
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 產品
配置
集電極-發射極飽和電壓
連續集電極電流在25 C
柵射極漏電電流
Pd - 功率消耗
封裝/外殼
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
Vishay Semiconductors IGBT 模組 Modules IGBT - IAP IGBT
規格書
30庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 372 A 360 nA 789 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors IGBT 模組 Modules IGBT - IAP IGBT
規格書
13庫存量
15預期2026/2/26
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 193 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors IGBT 模組 Modules IGBT - IAP IGBT
規格書
17庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 247 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors IGBT 模組 Modules IGBT - IAP IGBT
規格書
12庫存量
15預期2026/4/21
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 476 A 480 nA 1 kW Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors IGBT 模組 Modules IGBT - IAP IGBT
規格書
15預期2026/2/24
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 96 A 120 nA 259 W Module - 40 C + 175 C Bulk